Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de peza | 2SK3564(STA4,Q,M) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrición | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 77011 pcs stock | Folla de datos | 1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf |
| Tensión - Proba | 700pF @ 25V | Tensión - Desglose | TO-220SIS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V | Vgs (Max) | 10V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | π-MOSIV |
| Estado RoHS | Tube | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3A (Ta) |
| Polarización | TO-220-3 Full Pack | Outros nomes | 2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de parte do fabricante | 2SK3564(STA4,Q,M) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17nC @ 10V | Tipo IGBT | ±30V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 4V @ 1mA | Función FET | N-Channel |
| Descrición expandida | N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Descrición | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 900V |
| Relación de capacidade | 40W (Tc) | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
|---|---|---|
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