Número de peza | SI3586DV-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrición | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 5038 pcs stock | Folla de datos | SI3586DV-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | Paquete de dispositivos de provedor | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Potencia - Máx | 830mW | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Outros nomes | SI3586DV-T1-E3TR SI3586DVT1E3 |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Tipo FET | N and P-Channel | Función FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Descrición detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 2.9A, 2.1A | Número de parte base | SI3586 |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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DHL | www.DHL.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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