Número de peza | EPC2105 | Fabricante | EPC |
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Descrición | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 16253 pcs stock | Folla de datos | EPC2105.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | Paquete de dispositivos de provedor | Die |
Serie | eGaN® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
Potencia - Máx | - | Empaquetado | Original-Reel® |
Paquete / caso | Die | Outros nomes | 917-1185-6 |
Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Tempo de entrega estándar do fabricante | 14 Weeks |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Función FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die | Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 9.5A, 38A |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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