Número de peza | FDS6982AS_G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrición | MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 4741 pcs stock | Folla de datos | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA | Paquete de dispositivos de provedor | 8-SO |
Serie | PowerTrench®, SyncFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V |
Potencia - Máx | 900mW | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount | Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 9nC @ 5V, 16nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Función FET | Standard | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO | Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 6.3A, 8.6A |
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