Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de peza | SSM6N15AFE,LM | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrición | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 888914 pcs stock | Folla de datos | 1.SSM6N15AFE,LM.pdf2.SSM6N15AFE,LM.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA | Paquete de dispositivos de provedor | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potencia - Máx | 150mW | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | SOT-563, SOT-666 | Outros nomes | SSM6N15AFE,LM(A SSM6N15AFE,LM(B SSM6N15AFE,LM(T SSM6N15AFE,LMTR SSM6N15AFELM SSM6N15AFELMTR SSM6N15FE (TE85L,F) SSM6N15FE(TE85L,F) SSM6N15FE(TE85LF)TR SSM6N15FE(TE85LF)TR-ND SSM6N15FETE85LF |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V | Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Función FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 100mA | Número de parte base | SSM6N15 |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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