Número de peza | SI5515DC-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrición | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 5621 pcs stock | Folla de datos | SI5515DC-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Paquete de dispositivos de provedor | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Potencia - Máx | 1.1W | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | 8-SMD, Flat Lead | Outros nomes | SI5515DC-T1-E3TR SI5515DCT1E3 |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | N and P-Channel | Función FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Descrición detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 4.4A, 3A | Número de parte base | SI5515 |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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DHL | www.DHL.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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