Número de peza | SI4816BDY-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrición | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 65291 pcs stock | Folla de datos | SI4816BDY-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Paquete de dispositivos de provedor | 8-SO |
Serie | LITTLE FOOT® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V |
Potencia - Máx | 1W, 1.25W | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Outros nomes | SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDYT1E3 |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 10nC @ 5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Función FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 5.8A, 8.2A | Número de parte base | SI4816 |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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