Número de peza | FDS3601 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrición | MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 5988 pcs stock | Folla de datos | FDS3601.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Paquete de dispositivos de provedor | 8-SO |
Serie | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 1.3A, 10V |
Potencia - Máx | 900mW | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount | Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 5nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Función FET | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SO | Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 1.3A |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00 a taxa de envío básica depende da zona e do país. |
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